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对于星辰的猜测，晨晨没有回答，是因为，自己这个目标并不明确。
因为在地球当前的政治格局下，即便是自己想要去做，有很多东西也是无法完成的。
在一个没有统一政府的星球上，如何进行下一阶段的文明推进，陈晨没有想过的经验。
所以暂时只能走一步算一步。
陈晨和星辰商议决定之后，星辰用了大约3个小时的时间，把处理器和基带等其他功能模块，全部整合完成，并且进行了多次模拟测试，确保完全没有任何问题。
然后把所有资料，还有一整套的5G通讯标准文件，一起发给了陈建生，让他找时间，把处理器交给intel生产，然后拿着5G通讯标准，去准备参加今年的通信行业大会。
一般来说，一家芯片代工厂，从客户那里获得一个芯片生产订单开始算起.
需要在60天内为该客户生产完所有硅片，这些硅片经过封装和测试等环节后，大约又需耗时一个月。
也就是说，从开工到出厂，至少需要80~90天。
时间是有些长，主要是因为，目前所用的，成熟的光刻机193i，已经用了很多年了，本身精度非常低，要用来生产14nm的芯片，需要就过多重复杂的技术增加精度。
传统工艺，做到10nm，已经基本上是极限了，想要继续下探，到7nm、5nm，就必须换新技术。
这个新技术，也就是intel、三星、台积电，都在等着EUV极紫外光刻技术。采用波长13.5nm的极紫外光为工作波长的投影光刻技术
因为更高的精度，可以大大减少工艺流程和复杂度。
所以如果EUV光刻技术能够成熟，并且投入量产，芯片的生产时间，将会大幅缩短，产品良率也会提高很多。
按照现在的预计，使用EUV技术的工厂，最快可以做到20多天出厂，时间只有传统光刻技术的四分之一。
但是目前EVU技术并没有成熟，仍然有多个关键问题没有解决。
Intel、三星、台积电半导体三巨头，投了巨额资金，给全球顶级的光刻机厂家ASML，用来开发EUV技术，以期维持半导体行业的持续发展。
EUV技术是延续摩尔定律，让7nm、5nm工艺，成功量产的希望。
而且，EUV技术，也是东华国内半导体制作技术，实现弯道超车的机会，超越国际的难得机会。
在传统工艺上，东华已经难以超过西方了，即便是超过，也马上就要过时，只能用来生产低级芯片。
东华在上个世纪九十年代，就开始进行EUV相关方面的研究。
2002年，研制出国内第一套EUV极紫外光刻原理装置。
2008年，在中科院的主导下，已经多家高校和科研机构参与到研究中，
2017年，EUV极紫外光刻关键技术研究，已经到了最后攻关阶段，即将进行项目验收。
实际上，这个时候，单纯的在EUV的光刻机技术上，是东华和国际最近的一次，已经几乎在同一代以内了。
而且关键是，但凡国内搞技术攻关，必然是要做一整套的技术。
包括... -->>
对于星辰的猜测，晨晨没有回答，是因为，自己这个目标并不明确。
因为在地球当前的政治格局下，即便是自己想要去做，有很多东西也是无法完成的。
在一个没有统一政府的星球上，如何进行下一阶段的文明推进，陈晨没有想过的经验。
所以暂时只能走一步算一步。
陈晨和星辰商议决定之后，星辰用了大约3个小时的时间，把处理器和基带等其他功能模块，全部整合完成，并且进行了多次模拟测试，确保完全没有任何问题。
然后把所有资料，还有一整套的5G通讯标准文件，一起发给了陈建生，让他找时间，把处理器交给intel生产，然后拿着5G通讯标准，去准备参加今年的通信行业大会。
一般来说，一家芯片代工厂，从客户那里获得一个芯片生产订单开始算起.
需要在60天内为该客户生产完所有硅片，这些硅片经过封装和测试等环节后，大约又需耗时一个月。
也就是说，从开工到出厂，至少需要80~90天。
时间是有些长，主要是因为，目前所用的，成熟的光刻机193i，已经用了很多年了，本身精度非常低，要用来生产14nm的芯片，需要就过多重复杂的技术增加精度。
传统工艺，做到10nm，已经基本上是极限了，想要继续下探，到7nm、5nm，就必须换新技术。
这个新技术，也就是intel、三星、台积电，都在等着EUV极紫外光刻技术。采用波长13.5nm的极紫外光为工作波长的投影光刻技术
因为更高的精度，可以大大减少工艺流程和复杂度。
所以如果EUV光刻技术能够成熟，并且投入量产，芯片的生产时间，将会大幅缩短，产品良率也会提高很多。
按照现在的预计，使用EUV技术的工厂，最快可以做到20多天出厂，时间只有传统光刻技术的四分之一。
但是目前EVU技术并没有成熟，仍然有多个关键问题没有解决。
Intel、三星、台积电半导体三巨头，投了巨额资金，给全球顶级的光刻机厂家ASML，用来开发EUV技术，以期维持半导体行业的持续发展。
EUV技术是延续摩尔定律，让7nm、5nm工艺，成功量产的希望。
而且，EUV技术，也是东华国内半导体制作技术，实现弯道超车的机会，超越国际的难得机会。
在传统工艺上，东华已经难以超过西方了，即便是超过，也马上就要过时，只能用来生产低级芯片。
东华在上个世纪九十年代，就开始进行EUV相关方面的研究。
2002年，研制出国内第一套EUV极紫外光刻原理装置。
2008年，在中科院的主导下，已经多家高校和科研机构参与到研究中，
2017年，EUV极紫外光刻关键技术研究，已经到了最后攻关阶段，即将进行项目验收。
实际上，这个时候，单纯的在EUV的光刻机技术上，是东华和国际最近的一次，已经几乎在同一代以内了。
而且关键是，但凡国内搞技术攻关，必然是要做一整套的技术。
包括... -->>
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